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SUMMARY:Beyond 5Gに向けたダイヤモンド技術
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DESCRIPTION:イベント詳細はこちら\nhttps://techplay.jp/event/90845
 9?utm_medium=referral&utm_source=ics&utm_campaign=ics\n\nBeyond 5Gに向
 けたダイヤモンド技術\n概要\nダイヤモンドが、次世代
 通信社会（Beyond　5G）の実現のために注目されていま
 す。ダイヤモンドには、一般に知られている硬さによ
 る耐久性の他、電気的絶縁の耐圧に優れている電子移
 動度が高い熱伝導率が高く、冷却しやすい等の特性が
 あり、高性能な半導体（パワー系、高周波系）への応
 用で期待されています。(地独）大阪産業技術研究所で
 は、『Beyond 5G に向けた材料開発技術の高度化』を重点
 事業として令和4年度から実施されています。※Beyond 5G
  を見据え、必要な材料及び高周波帯域での評価技術の
 提供を目的とし、その実現を目指す。そのために、第
 一原理計算に基づくマテリアルズ・インフォマティク
 スを構築し、Beyond 5G 用材料を効率よく探索する。加え
 て、材料探索において利用可能な高周波特性計測法を
 整備する\n今回、その第1期を終えて、成果および関連
 情報の報告会が実施されます。期待される、新しい材
 料、将来の社会・産業の一端に触れられる催しです。
 タイムスケジュール\n\n\n\n時間\n内容\n\n\n\n\n13:20〜14:20\
 n『マイクロ波プラズマCVD法による単結晶ダイヤモンド
 の作製』ダイヤモンドは、電気的あるいは熱的に物質
 中最高水準の物性値を複数有しており、次世代のパワ
 ーエレクトロニクスやスピントロニクス など、広範な
 分野での応用が期待されています。本講演では、ガス
 を原料とするマイクロ波プラズマCVD法を用いて、単結
 晶ダイヤモンド この大型化技術への取り組みについて
 報告します。　　　　国立研究開発法人産業技術総合
 研究所　　　　　　　先進パワーエレクトロニクス研
 究センター 山田 英明氏\n\n\n14:30～15:15\n『ダイヤモン
 ド基板を活用したGaN高周波デバイス』大電力を扱う電
 子デバイスでは動作時発熱温度上昇が課題となってお
 り、固体物質中で最大の熱伝導率を有するダイヤモン
 ド基板を GaN高周波デバイスに接合し、放熱性を向上さ
 せる構造の開発を行っています。本講演では、ダイヤ
 モンド基板適用による放熱性能の 向上効果について接
 合するダイヤモンド種の比較を含めて報告します。　
 　　　　三菱電機株式会社 先端技術総合研究所　　　
 　　　 先進機能デバイス技術部　　　　　　　　　滝
 口 雄貴氏\n\n\n15:45～16:25\n『大阪技術研におけるBeyond 5G
 に向けた材料合成技術の整備』Beyond 5Gを実現するため
 には単結晶ダイヤモンドの利用拡大が重要となります
 。 しかし、単結晶ダイヤモンドの実用化には 様々な
 課題があります。大阪技術研では、高温高圧合成法に
 よる単結晶ダイヤモンドの不純物量を制御する技術の
 確立を目指 すとともに、将来の材料開発支援環境の整
 備を進めています。本講演では、その取り組みについ
 て紹介いたします。　　　　　地方独立行政法人大阪
 産業技術研究所　　　　　製品信頼性研究部 　　　　
 　　　　　　　　 平井 学　氏\n\n\n
LOCATION:(地独)大阪産業技術研究所 森之宮センター ３F大
 講堂 大阪市城東区森之宮1-6-50
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