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X-WR-CALDESC:「半導体・電子材料ポスターセッション」開
 催のお知らせ
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 催のお知らせ
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SUMMARY:「半導体・電子材料ポスターセッション」開催の
 お知らせ
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DESCRIPTION:イベント詳細はこちら\nhttps://techplay.jp/event/98214
 4?utm_medium=referral&utm_source=ics&utm_campaign=ics\n\n「半導体・
 電子材料ポスターセッション」開催のお知らせ\n概要\n
 来る2025年6月27日(金)に株式会社東レリサーチセンター
 は京都駅近くの京都テルサで「半導体・電子材料ポス
 ターセッション」を開催いたします。本イベントは、
 半導体デバイス・装置・材料メーカーのお客様を対象
 に、半導体・電子材料に関する最新の分析技術を紹介
 する場として企画しました。最新の分析技術事例を中
 心に50枚のポスターを展示いたします。参加者の皆様
 には、直接弊社の研究者と対話し、技術の詳細や応用
 について深く理解していただける機会を提供いたしま
 す。参加費は無料ですので、ぜひ多くの皆様にご参加
 いただきたく存じます。※同業他社関係者の皆様には
 ご参加をご遠慮いただいております。何卒ご理解のほ
 どよろしくお願い申し上げます。\n◆ポスター展示内
 容　展示ポスターの一部をご紹介します。　展示内容
 は変更になる可能性があります。\n【1: 新規導入装置
 、独自の分析技術】・ICON-IRによる接着界面分析-2025年4
 月導入-・ESR法によるSiN膜中の欠陥量の深さ方向分析・
 マイクロRBSによる3次元構造体に形成した薄膜の高確度
 組成評価・HAXPESによるGaNの元素組成・化学状態分析・S
 TEM\, CL\, DLTSによるGaN-HEMTの欠陥解析\n【2: 材料評価・分
 析】・同位体ガスを用いたデバイス材料のガス浸透性
 評価・半導体材料のラマン分析における最適な装置選
 択・Low-k材料；SiOC薄膜の膜質評価\n【3: プロセス評価
 ・最適化】・ALD-SiN膜の初期構造解析　-FT-IR法-・カソ
 ードルミネッセンス(CL)法によるシリコンパワーデバイ
 スの点欠陥・転位評価・トレンチ構造の側壁部の粗さ
 ・汚染評価・ハイブリッド接合プロセスの最適化-ウエ
 ハ接合試料の界面分析-・半導体封止用樹脂の熱硬化挙
 動解析\n【4: デバイス評価・開発支援】・実装材料の
 熱特性評価事例・先端通信デバイス開発を支援するル
 ミネッセンス分析・マルチイオン種プラズマFIBによる
 半導体デバイスの電位コントラスト観察・ヘリウム冷
 却STEM-CL法によるVCSELの発光特性評価\n【5: マッピング
 ・可視化】・SIMSを用いた溶液成長SiC結晶中Nイメージ
 評価・fsLA-ICP-MSによるSiC基板中の 微量元素の三次元イ
 メージング・薄膜の応力測定 － 50～300 mmΦ，温度依存
 性対応 －・μ-DICを用いた冷却昇温過程の熱ひずみ分布
 解析 －PCB\, SIC-MOSFETへの適用－・実装部品内部の高分
 子材料のO-PTIRを用いた微小部組成分析\n【6: 分析技術
 ・前処理】・EUVリソグラフィー用化学増幅型レジスト
 中のポリマーバウンド光酸発生剤の構造解析・耐熱性
 樹脂の高温加熱時アウトガス分析・spICP-MSによるレジ
 スト中の金属微粒子分析・Siウェハ表面のイオン性不
 純物分析\n【7: 分析＋シミュレーション】・樹脂の熱
 硬化過程へのフィラーの影響 －熱分析とMDシミュレー
 ション－\n【8: グローバル市場向けサービス】・グロ
 ーバル市場をサポートする東レリサーチセンターの半
 導体・電子材料向け高度分析サービス・欧州現地での
 東レリサーチセンターの半導体・電子材料向け高度化
 学分析サービス・中国現地での東レリサーチセンター
 の半導体・電子材料向け高精度組成分析サービス\n【9:
  関係会社、提携会社機能】・身近な梱包材からも硫黄
 化合物が発生！！【東レテクノ(株)】・超純水の管理 
 ―水質モニタリングと異常対応―【東レテクノ(株)】
 ・電子デバイス切り出しによる物性値測定【NTTデバイ
 スクロステクノロジ(株)】
LOCATION:京都テルサ 　東館３階　大会議室 京都市南区東
 九条下殿田町70番地（新町通九条下ル）
URL:https://techplay.jp/event/982144?utm_medium=referral&utm_source=ics&utm
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