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2014/04/10(木) 10:30 開催
愛知県

パワーデバイスの最新動向およびパッケージ・実装技術と高信頼度化【名古屋開催】

基本情報

日 時: 2014/04/10(木) 10:30 〜 16:00
会 場: ウインクあいち 11F 1106
住 所: 愛知県名古屋市中村区名駅4丁目4-38
定員数: 定員 30人
申込先: ATND

イベント内容

太陽光発電や風力発電などの創エネルギー、ハイブリッドカー/電気自動車などのCO2削減、エアコン用インバーターや産業用インバーターなどの省エネが益々重要になっている中、その中核を担う、パワーエレクトロニクス、それを支えるパワーデバイスに関して最新の動向を説明するとともに、次世代のIGBTやSiC-MOSなどの特長を活かすためのパッケージ技術・実装技術(小型化・高放熱化・高耐熱化・高信頼度化)に関して詳細に説明する。

1.パワー半導体の種類と適用分野
  1-1 パワー半導体とは?
  1-2 パワー半導体の動作原理と適用回路例
  1-3 パワー半導体の適用分野とアプリケーション例
2.最新パワーデバイスの動向
  2-1 SJ-MOS
  2-2 IGBT
  2-3 RB-IGBT
  2-4 SiCデバイス
3.パワーモジュールのパッケージ技術、実装技術
  3-1 パワーモジュールパッケージの種類と動向
  3-2 パワーモジュールパッケージ技術の重要な要素技術と課題
     小型化・高放熱化・高耐熱化・高信頼度化
  3-3 EV/HEV用パワーモジュールの小型・軽量化技術
4.SiCデバイスのモジュール技術
  4-1 SiCデバイスモジュール技術の課題
     小型化、高温化、高信頼度化など
5. パワーモジュールにおける最新CAE技術とまとめ
  5-1 パワーモジュール開発におけるCAE技術適用の考え方
  5-2 放熱、熱・応力、振動シミュレーション例
6.まとめと今後に向けて

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