「半導体・電子材料ポスターセッション」開催のお知らせ

概要

来る2025年6月27日(金)に株式会社東レリサーチセンターは京都駅近くの京都テルサで「半導体・電子材料ポスターセッション」を開催いたします。
本イベントは、半導体デバイス・装置・材料メーカーのお客様を対象に、半導体・電子材料に関する最新の分析技術を紹介する場として企画しました。
最新の分析技術事例を中心に50枚のポスターを展示いたします。
参加者の皆様には、直接弊社の研究者と対話し、技術の詳細や応用について深く理解していただける機会を提供いたします。
参加費は無料ですので、ぜひ多くの皆様にご参加いただきたく存じます。
※同業他社関係者の皆様にはご参加をご遠慮いただいております。何卒ご理解のほどよろしくお願い申し上げます。

◆ポスター展示内容
　展示ポスターの一部をご紹介します。
　展示内容は変更になる可能性があります。

【1: 新規導入装置、独自の分析技術】
・ICON-IRによる接着界面分析-2025年4月導入-
・ESR法によるSiN膜中の欠陥量の深さ方向分析
・マイクロRBSによる3次元構造体に形成した薄膜の高確度組成評価
・HAXPESによるGaNの元素組成・化学状態分析
・STEM, CL, DLTSによるGaN-HEMTの欠陥解析

【2: 材料評価・分析】
・同位体ガスを用いたデバイス材料のガス浸透性評価
・半導体材料のラマン分析における最適な装置選択
・Low-k材料；SiOC薄膜の膜質評価

【3: プロセス評価・最適化】
・ALD-SiN膜の初期構造解析　-FT-IR法-
・カソードルミネッセンス(CL)法によるシリコンパワーデバイスの点欠陥・転位評価
・トレンチ構造の側壁部の粗さ・汚染評価
・ハイブリッド接合プロセスの最適化-ウエハ接合試料の界面分析-
・半導体封止用樹脂の熱硬化挙動解析

【4: デバイス評価・開発支援】
・実装材料の熱特性評価事例
・先端通信デバイス開発を支援するルミネッセンス分析
・マルチイオン種プラズマFIBによる半導体デバイスの電位コントラスト観察
・ヘリウム冷却STEM-CL法によるVCSELの発光特性評価

【5: マッピング・可視化】
・SIMSを用いた溶液成長SiC結晶中Nイメージ評価
・fsLA-ICP-MSによるSiC基板中の 微量元素の三次元イメージング
・薄膜の応力測定 － 50～300 mmΦ，温度依存性対応 －
・μ-DICを用いた冷却昇温過程の熱ひずみ分布解析 －PCB, SIC-MOSFETへの適用－
・実装部品内部の高分子材料のO-PTIRを用いた微小部組成分析

【6: 分析技術・前処理】
・EUVリソグラフィー用化学増幅型レジスト中のポリマーバウンド光酸発生剤の構造解析
・耐熱性樹脂の高温加熱時アウトガス分析
・spICP-MSによるレジスト中の金属微粒子分析
・Siウェハ表面のイオン性不純物分析

【7: 分析＋シミュレーション】
・樹脂の熱硬化過程へのフィラーの影響 －熱分析とMDシミュレーション－

【8: グローバル市場向けサービス】
・グローバル市場をサポートする東レリサーチセンターの半導体・電子材料向け高度分析サービス
・欧州現地での東レリサーチセンターの半導体・電子材料向け高度化学分析サービス
・中国現地での東レリサーチセンターの半導体・電子材料向け高精度組成分析サービス

【9: 関係会社、提携会社機能】
・身近な梱包材からも硫黄化合物が発生！！【東レテクノ(株)】
・超純水の管理 ―水質モニタリングと異常対応―【東レテクノ(株)】
・電子デバイス切り出しによる物性値測定【NTTデバイスクロステクノロジ(株)】